其实对于用户来说,EEPROM 和FLASH 的主要的区别就是

1. EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。

2. EEPROM 一般容量都不大,如果大的话,EEPROM 相对与FLASH 就没有价格上的优势了。 市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。

3. 读的速度的话,应该不是两者的差别,只是（硕士论文）EERPOM 一般用于低端产品,读的速度不 需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH 差不多。

4. 因为EEPROM 的存储单元是两个管子而FLASH 是一个(SST 的除外,类似于两管), 所以CYCLING 的话,EEPROM 比FLASH 要好一些,到1000K 次也没有问题的。

总的来说,对与用户来说,EEPROM 和FLASH 没有大的区别,只是EEPROM 是低端产品, 容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH 要好一些。 但对于EEPROM 和FLASH 的设计来说,FLASH 则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围 电路设计上来说。